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13号竞彩篮球推荐:Littelfuse宣布推出首款1700V碳化硅MOSFET

竞彩篮球高手自爆 www.jah6.com 2018/11/1 16:14:55 来源:互联网 电力电子论坛|免费发布产品

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竞彩篮球高手自爆 www.jah6.com   Littelfuse公司宣布推出首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充其碳化硅MOSFET产品组合。此新品既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品重要补充,也是Littelfuse已有1200V碳化硅MOSFET和萧特基二极体的强力补充。具有更简洁节能系统及潜在更低总体拥有成本。

  碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势,包括电动和混合动力汽车、资料中心及辅助电源等高频、高效电源控制应用。相比同类的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会,包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求及降低系统级成本的可能性。

  Littelfuse 1700V碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。典型应用包括:太阳能逆变器、开关模式和不断电电源供应系统、电机驱动器、高压DC/DC转换器、感应加热器。

  此产品可改善现有应用,且Littelfuse应用支援网路可促进新设计方案。碳化硅MOSFET可为传统硅基型功率电晶体器件提供富价值的替代选择。相比同类IGBT,MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。固有材料特性让碳化硅MOSFET能在阻断电压、特定导通电阻和介面电容方面优于硅MOSFET。

  这款1700V、1Ohm碳化硅MOSFET採用TO-247-3L封装,具关键优势如:专为高频、高效能应用优化、极低闸极电荷和输出电容、低闸极电阻,适用于高频开关。

 

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